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環(huán)境設(shè)備測試的基本要求
更新時(shí)間:2014-07-25   點(diǎn)擊次數(shù):2651次

環(huán)境設(shè)備測試的基本要求

1)對基本環(huán)境條件的要求,綜合在一起主要有下列幾項(xiàng):

  A)溫度:15℃~35℃;

  B)相對濕度:不大于85%RH;

  C)大氣壓強(qiáng):86Kpa~106Kpa;

  D)熱輻射:無陽光直射,無熱源直接輻射;

  E)氣流:無強(qiáng)烈氣流,需要時(shí)不可直接吹到箱體上;

  F)電磁場:無強(qiáng)烈電磁場;

  G)三廢:無高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì);

  H)冷卻水源:水溫不大于30℃,水壓控制在0.1~0.3Mpa;

  I)加濕水源:電阻率不低于500Ω·m 。

  J)電源:220±22V、380±38V、50±0.5Hz。

2)負(fù)載要求

  A)負(fù)載品種:一般可用電工、電子產(chǎn)品或其它產(chǎn)品、零部件及絕緣材料等(鹽霧試驗(yàn)除外)。

  B)負(fù)載條件:

——負(fù)載總質(zhì)量:50~80Kg/m3;

——負(fù)載總體積:不大于工作室容積的1/5;

——阻擋主風(fēng)道總面積:不大于主風(fēng)道所處工作室截面積的1/3。

  鹽霧試驗(yàn)設(shè)備:

——規(guī)格:50×100×(1~2)mm;

——種類:金屬;

——樣品數(shù):160塊/m2(工作室水平面面積計(jì))。

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